半導體行業借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創建復雜的微觀結構，例如生產集成電路（IC）、液晶顯示器 （LCD）、印刷電路板 （PCB） 以及 MEMS（微機電系統）等多種電子電路結構。

得益于LED的技術優勢和成本優勢，半導體制造領域正在擺脫長期以來的傳統放電燈/汞燈技術，進而選擇UVLED技術作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩定、精確、一致的i、h 和 g 線 （350-450 nm）輻射輸出，具有長壽命和成本優勢，無需額外冷卻時間，即開即用。虹科UVLED曝光光源解決方案取代了傳統的燈箱結構，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過 450nm的輻射。在半導體領域的應用中，虹科UVLED曝光光源解決方案也是傳統均質/冷凝組件的經濟替代品，只需將其光引擎集成為一個子系統即可。

許多光刻應用依賴于寬帶曝光，包括 i、h 和 g 線 （365/405/435 nm）輻射。虹科UVLED 光源可提供非常相似的光譜輸出，將現有的光刻工藝升級到UVLED曝光系統不再需要過多調整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。

晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣曝光（WEE）是大批量半導體制造中的常見步驟。WEE使用光刻工具（如晶圓步進機）在曝光后處理晶圓的圓邊和ID區域。晶圓廠將這種高強度暴露添加到其生產線中，以提高晶圓半導體器件的良率。WEE允許晶圓邊緣的絕對最小曝光寬度，以最大限度地減少良率損失或在進一步處理過程中保護邊緣免受污染。WEE設備可以作為獨立單元連接到半導體晶圓軌道，也可以直接集成到步進設備中。

目前，大多數WEE應用使用350至450 nm光譜范圍內的寬帶輻射。最常見的解決方案是使用額定功率為150至500 W的傳統光纖耦合汞放電燈。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通過靈活的LED光導提供光輸出，涵蓋了傳統汞放電燈的光譜范圍，并且很容易超越晶圓邊緣曝光工藝所需的典型強度。

準直曝光

掩模對準器和步進器能創建一層又一層的精確定位和結構化圖案，以制造復雜的集成電路、化合物半導體和其他微電子器件。許多紫外固化應用要求曝光與半導體生產一樣精確，但不需要具有精心排列的微觀結構層的多個光刻步驟，例如：

智能手機和平板電腦顯示器制造中的邊緣曝光

為印刷行業打造的安全功能

生物技術微流體應用

以上應用更建議使用準直紫外光源曝光?？梢詫⒑缈谱贤夤庠唇鉀Q方案集成到需要很少或沒有準直的UVLED準直曝光設置中。

將虹科UVLED 技術集成到紫外線泛光暴露應用中，模塊化產品系列可讓您選擇所有組件以滿足您的暴露要求。

選擇虹科ALE/1 或 ALE/3 紫外 LED 光源，以滿足您對輸出功率、光譜成分和曝光穩定性的偏好。虹科ALE/1 或 ALE/3是市場上性能最高的光纖耦合光源之一，占地面積小，易于集成。

標準和定制的高透射率液體LED光導可用于連接光源和曝光，可以自由選擇最適合的方法，幾乎可以將光源和曝光光學器件放置在設置設計包絡中的任何位置。所有解決方案均可定制，以完美貼合原有設備。

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